No.428
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(火) |
「第５次エネルギー基本計画における太陽光発電産業技術動向」
株式会社NTTファシリティーズ 経営企画部 政策渉外室
担当部長 田中 良 氏
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（内容）
平成30年度7月に閣議決定された第５次エネルギー基本計画において、太陽光発電事業は2030年に向けて主力電源化への布石としての取組を早期に進め、2050年に経済的に自立化し脱炭素化した主力電源化を目指すと明確に定義づけられた。これは我々再生可能エネルギーに携わる者として大変名誉な事であるが、一方日本のエネルギーの将来に重要な責任を負うことになった。つまりシステムの安定性、安全性、コストはもちろんの事であるがエネルギーのベストミックスを考慮した長期信頼性等々、解決すべき課題は山積している。ここではこれらの課題の解決に向けた方向性等に対して太陽電池そのものの開発動向や諸外国の動向を含めて報告する。
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No.429
2/12
(火) |
「最先端短波長光源（DUV/EUV）と半導体製造への応用」
ギガフォトン株式会社
代表取締役副社長（兼）CTO 溝口 計 氏
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（内容）
半導体の微細化の進展とともに光リソグラフィ光源の短波長化が進んできた。KrF、ArF、ArF液浸、マルチパターニングと進展し、10 nm以下のデザイン寸法ではEUV(極端紫外線)波長でのリソグラフィが熱望されてきた。近年EUV光源の性能改善が進み半導体製造現場での250W運転の成功も報告され、ロジックデバイス製造メーカを中心にEUV露光装置の導入が大きく進展している。一方でメモリーメーカではDUVリソグラフィが主力であり、導入が今なお活発で、DUV光源の開発も活発に行われている。本講演では、DUV(KrF、ArF液浸)リソグラフィの進展とDUVエキシマ光源の開発の現状、EUV光源の昨今の世界での進展と、わが社での開発の現状について解説する。
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No.430
3/18
(月) |
「ナノ光構造技術と深紫外光デバイス」
情報通信研究機構 未来ICT研究所 深紫外光ICTデバイス先端開発センター
センター長 井上 振一郎 氏
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（内容）
波長200〜300nmで発光する深紫外LEDは、ウィルスの殺菌や飲料水の浄化、水銀ランプの代替、光加工、ICT応用など、幅広い分野において、その利活用が期待されている。本講演では、近年急速に進展している深紫外LEDデバイスの最新状況や技術課題を概観するとともに、光取出し効率を向上させるナノ光構造技術を中核とした我々の深紫外LEDの高出力化に向けた取組みについて述べる。また深紫外光通信応用や、ナノ光デバイスによる深紫外光波制御などの最新技術、今後の展望などについても紹介する。
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